购买 STMicroelectronics SCT20N120 MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 - 天凌箭

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SCT20N120

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SCT20N120

MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

型号

SCT20N120

制造商/品牌

STMicroelectronics

系列

-

零件状态

Active

包装

Tube

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

工作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/箱体

TO-247-3

供应商器件封装

HiP247™

功率耗散（最大）

175W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

1200V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

20A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

290 mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th)（最大值）@Id

3.5V @ 1mA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

45nC @ 20V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

650pF @ 400V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

20V

电压 (最大值)

+25V, -10V

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