SCT3022ALGC11
MOSFET NCH 650V 93A TO247N
型号
SCT3022ALGC11
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
功率耗散（最大）
339W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
93A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
28.6 mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th)（最大值）@Id
5.6V @ 18.2mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
133nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2208pF @ 500V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
18V
电压 (最大值)
+22V, -4V
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