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SCT3080ALGC11

SCT3080ALGC11

MOSFET N-CH 650V 30A TO247
型号
SCT3080ALGC11
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
功率耗散(最大)
134W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
104 mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th)(最大值)@Id
5.6V @ 5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
48nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
571pF @ 500V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
18V
电压 (最大值)
+22V, -4V
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关键词 SCT3080ALGC11
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