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TK100E10N1,S1X

TK100E10N1,S1X

MOSFET N-CH 100V 100A TO220
型号
TK100E10N1,S1X
系列
U-MOSVIII-H
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
功率耗散(最大)
255W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
100A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
3.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8800pF @ 50V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±20V
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关键词 TK100E10N1,S1X
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