SI4500BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
型号
SI4500BDY-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Digi-Reel®
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
1.3W
供应商器件封装
8-SO
场效应晶体管类型
N and P-Channel, Common Drain
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6.6A, 3.8A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
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