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SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
型号
SI4501ADY-T1-E3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Digi-Reel®
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
1.3W
供应商器件封装
8-SO
场效应晶体管类型
N and P-Channel, Common Drain
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V, 8V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6.3A, 4.1A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
18 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.8V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
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