购买 IXYS IXTU01N100D MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 - 天凌箭

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IXTU01N100D

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IXTU01N100D

MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

型号

IXTU01N100D

制造商/品牌

IXYS

系列

-

零件状态

Active

包装

Tube

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/箱体

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装

TO-251

功率耗散（最大）

1.1W (Ta), 25W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

Depletion Mode

漏源电压 (Vdss)

1000V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

100mA (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

80 Ohm @ 50mA, 0V

Vgs(th)（最大值）@Id

5V @ 25µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

-

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

120pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

0V

电压 (最大值)

±20V

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