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IXTU05N120

IXTU05N120

MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251
型号
IXTU05N120
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装
TO-251
功率耗散(最大)
-
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
500mA (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(最大值)@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
-
电压 (最大值)
-
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