图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
IXTU06N120P

IXTU06N120P

MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251
型号
IXTU06N120P
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装
TO-251
功率耗散(最大)
-
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
600mA (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(最大值)@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
-
电压 (最大值)
-
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com,我们将尽快回复。
有货 52871 PCS
联系信息
关键词 IXTU06N120P
IXTU06N120P 电子元件
IXTU06N120P 销售
IXTU06N120P 供应商
IXTU06N120P 分销商
IXTU06N120P 数据表
IXTU06N120P 图片
IXTU06N120P 报价
IXTU06N120P 提供
IXTU06N120P 最低价格
IXTU06N120P 搜索
IXTU06N120P 购买
IXTU06N120P 芯片