图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
IXTU05N100

IXTU05N100

MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251
型号
IXTU05N100
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装
TO-251
功率耗散(最大)
40W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
750mA (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
260pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com,我们将尽快回复。
有货 39880 PCS
联系信息
关键词 IXTU05N100
IXTU05N100 电子元件
IXTU05N100 销售
IXTU05N100 供应商
IXTU05N100 分销商
IXTU05N100 数据表
IXTU05N100 图片
IXTU05N100 报价
IXTU05N100 提供
IXTU05N100 最低价格
IXTU05N100 搜索
IXTU05N100 购买
IXTU05N100 芯片