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APTM08TAM04PG

APTM08TAM04PG

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
型号
APTM08TAM04PG
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Bulk
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP6
功率 - 最大
138W
供应商器件封装
SP6-P
场效应晶体管类型
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
75V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
120A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
4.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
153nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4530pF @ 25V
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