购买 Microsemi Corporation APTM100A18FTG MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 - 天凌箭

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APTM100A18FTG

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APTM100A18FTG

MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

型号

APTM100A18FTG

制造商/品牌

Microsemi Corporation

系列

-

零件状态

Active

包装

Bulk

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/箱体

SP4

功率 - 最大

780W

供应商器件封装

SP4

场效应晶体管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

场效应晶体管特性

Standard

漏源电压 (Vdss)

1000V (1kV)

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

43A

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

210 mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

5V @ 5mA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

372nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

10400pF @ 25V

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