APTM100A23SCTG
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
Silicon Carbide (SiC)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
36A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
270 mOhm @ 18A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
308nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8700pF @ 25V
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