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APTM100A23STG

APTM100A23STG

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
型号
APTM100A23STG
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Bulk
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP4
功率 - 最大
694W
供应商器件封装
SP4
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
1000V (1kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
36A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
270 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
308nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8700pF @ 25V
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