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APTM20UM04SAG

APTM20UM04SAG

MOSFET N-CH 200V 417A SP6
型号
APTM20UM04SAG
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Bulk
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP6
供应商器件封装
SP6
功率耗散(最大)
1560W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
417A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
5 mOhm @ 208.5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 10mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
560nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
28800pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
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